太阳光伏能源系统术语

代替 GB 2297—80

本标准规定了太阳光伏能源系统术语。其中包括：一般术语，光电转换和光伏、光谱特性术语，组件、方阵和系统术语，标定和测试术语以及工艺术语等五部分。

本标准适用于太阳光伏能源系统。

2.1 太阳光伏能源系统 solar photovoltaic energy system

系指利用太阳电池的光生伏特效应，将太阳辐射能直接转换成电能的发电系统。
2.2 太阳电池 solar cell

系指将太阳辐射能直接转换成电能的一种器件。
2.3 硅太阳电池 silicon solar cell

系指以硅为基体材料的太阳电池。
2.4 单晶硅太阳电池 single crystalline silicon solar cell系指以单晶硅为基体材料的太阳电池。
2.5 非晶硅太阳电池（a－Si 太阳电池）amorphous silicon solar cell系指用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池。亦称无定形硅太阳电池。简称 a－Si 太阳电池。
2．6 PIN（NIP）非晶硅太阳电池 PIN（NIP）a－Si solar cell系指由 $\mathrm{P}(\mathrm{N})$$\mathrm{P}(\mathrm{N})$P(N)\mathrm{P}(\mathrm{N}) 型非晶硅，本征非晶硅和 $\mathrm{N}(\mathrm{P})$$\mathrm{N}(\mathrm{P})$N(P)\mathrm{N}(\mathrm{P}) 型非晶硅构成的太阳电池。其光照面为 $\mathrm{P}(\mathrm{N})$$\mathrm{P}(\mathrm{N})$P(N)\mathrm{P}(\mathrm{N}) 型区。
2.7 集成型非晶硅太阳电池 integrated a－Si solar cell用激光切割或其它方法把生长在同一块玻璃衬底或其它衬底上的非晶硅太阳电池切割成许多单体，使其串联、并联而构成的电池。
2． 8 多晶硅太阳电池 polycrystalline silicon solar cell系指以多晶硅为基体材料的太阳电池。
2． 9 多晶太阳电池 polycrystalline solar cell系指用多晶材料为基体而制作的太阳电池。
2.10 多结太阳电池 multijunction solar cell系指由多个 p－n 结形成的太阳电池。这类电池的光电转换效率较高。光谱响应有所改善。
2.11 垂直多结太阳电池 vertical multijunctions solar cell系指与常规不同的一种太阳电池，其光照表面层被腐蚀成许多相互平行，有一定间距和深度的槽，用适当工艺在槽壁、槽底和槽顶部制成一个连续的 p－n 结，结的大部分或全部与光照面垂直。
212 水平多结太阳能电池

系指按制造多结太阳电池工艺制成的 p－n 结中大部分或全部的 p－n 结与光照面平行的多结太阳电池。
2.13 化舍物半导体太阳电池 compound semiconductor solar cell用化合物半导体材料制成的太阳电池。
2. 14 II-VI 族太阳电池 II-VI 族太阳能电池
用元素周期表中第 I 族和第 U 族元素形成的化合物半导体材料制成的太阳电池。
2.15 I－V族太阳电池 I－V group solar cell

用元素周期表中第 I 族和第 V 族元素形成的化合物半导体材料制成的太阳电池。
2.16 硫化镉太阳电池 cadmium sulfide solar cell

系指以硫化镉为基体材料的太阳电池。
2.17 砷化镓太阳电池 gallium arsenide solar cell

系指以砷化镓为基体材料的太阳电池。
2.18 有机半导体太阳电池 organic semiconductor solar cell

用有机半导体材料制成的太阳电池。
2． 19 聚光太阳电池 concentrator solar cell
在基体电阻率、结深和栅线结构等方面进行特殊设计的、适用于聚光条件下工作的太阳电池。
2.20 常规太阳电池 conventional solar cell

用常规工艺制造的太阳电池称为常规太阳电池，通常指只有一个 p－n 结、没有背场，没有线面等特殊结构的单晶硅太阳电池。
2.21 掺锂太阳电池 lithium－doped solar cell系指在基区中掺锂的硅太阳电池，这种电池具有较高的抗辐射能力。
2.22 带硅太阳电池 silicon ribbon solar cell用带状硅制造的太阳电池。
2.23 层太阳电池（级联太阳电池）stacked solar cell，tandem solar cell，cascade solar cell在入射光方向上做成两个以上彼此串连的单结太阳电池。它能充分吸收太阳光能、提高开路电压。
2.24 多带隙非晶硅太阳电池 multi－bandgap a－Si solar cell

以不同带隙的 a－Si 材料制成的叠层电池。其受光面的带隙最宽，中间次之，第三层最窄，以充分利用太阳光能。
2.25 背场太阳电池 back surface field（BSF）太阳能电池

在电池基区背面加一个与原内建电场指向相同的电场，形成高低结电场，以提高开路电压。这种电池称为背场太阳电池。
2.26 背反射太阳电池 back surface reflection solar cell

在电池基区材料的背表面加上一薄层具有高反射能力的介质薄层，使透过基区的光被反射回来，从而提高了电池的长波响应。这种电池称为背反射太阳电池。
2.27 背场背反射太阳电池 back surface reflection and back surface field solar cell具有背反射结构的背场太阳电池。
2.28 卷包式太阳电池 wrap－around type solar cell它是将电池的结面沿电池边缘卷包到电池背面，使两个电极都在背面的太阳电池。
2.29 聚合物半导体太阳电池 polymer semiconductor solar cell系指用聚合物（如聚乙炔）制成的有机半导体太阳电池。
2.30 紫光太阳电池 violet solar cell它是一种对太阳光谱中短波响应较好的硅太阳电池。其特点是浅结、密棚。
2.31 线面太阳电池 textured solar cell

亦称无反射太阳电池或黑电池，系指太阳电池受光面采用各向异性腐蚀法制成绒面状以减少光反射的太阳电池。
2． 32 肖特基太阳电池 schottky solar cell
利用金属－半导体界面止的肖特基势垒而构成的太阳电池。
2． 33 MIS 太阳电池 MIS solar cell
是由金属－绝缘体－半导体结构制成的一种太阳电池。
2．34 MINP 太阳电池 MINP solar cell
是一种改进的 $n-p$$n-p$n-pn-p 结高效率太阳电池。其结构为在 $n-p$$n-p$n-pn-p 结太阳电池的光照面，先生长一层绝缘氧化物再蒸发金属栅和减反射膜，实际上是 MIS 和 $n-p$$n-p$n-pn-p 结电池串联而成的复合电池。
2.35 整体二极管太阳电池 integral diode solar cell

系指二极管和太阳电池制在同一基片上的组合体。
2.36 薄膜太阳电池 thin film solar cell

系指用硅、硫化镉、砷化镓等薄膜为基体材料的太阳电池。这些薄膜通常用辉光放电、化学气相淀积、溅射、真空蒸镶等方法制得。
2． 37 同质结太阳电池 homojunction solar cell
由同一种半导体材料所形成的 p－n 结或梯度结称为同质结。用同质结构成的电池称为同质结太阳电池。
2.38 异质结太阳电池 heterojunction solar cell

由两种禁带宽度不同的半导体材料形成的结称为异质结。用异质结构成的电池称为异质结太阳电池。
2.39 漂移型光伏器件 drift type photovoltaic device

对于象非晶硅这样的半导体材料，由于其扩散长度很小。用它作成光伏器件都采用 PIN（NIP）结构。I 层中有较强的电场，使其漂移电流远大于扩散电流。这类器件称为漂移型光伏器件。
2.40 太阳电池面积 solar cell area

系指太阳电池全部光照面的面积（包括栅线）。
2.41 单体太阳电池＇single solar cell

具有正、负电极并能把太阳辐射能转换成电能的最小太阳电池单元。
2.42 单体太阳电池的有效光照面积 active area of a solarcell

系指单体太阳电池受光面的几何面积与电极所占面积的差值。
2.43 定域态密度 density of localized state

在非晶态材料中，由于其组分排列的无序和存在着杂质与缺陷，在带隙中产生了分立的能级，这些分立的能级称定域态。单位体积单位能量间隔中定域态的数目叫定域态密度。它包括带尾定域态和缺陷定域态。
2.44 迁移率边 mobility edge

是指在非晶态半导体中扩展态与带尾定域态的分界。
2.45 欧姆接触 ohmic contact

电流通过金属－半导体接触面时，不呈现整流效应的接触称为欧姆接触。
2.46 光电效应 photo－electric effect

是光辐射和物质之间的一种相互作用。其特征是物质吸收光子产生电子（空穴）。
2. 47 光伏效应
以出现电动势为特征的光电效应。
2.48 光电子 photo－electron